国产芯片突破成果在哪里?

2018-04-21  来自: 中研网 浏览次数:1092

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      我国目前研究半导体、集成电路等重大技术装备显得迫在眉睫。研究自主研发的高科技专利,是之成为国之重器,扶持中国5G、AI、通讯等高新科技,也成为了我国各个科研机构和技术专家们的重大任务。

虽然我们***芯片半导体产业相比美日已然落后,但我泱泱中华人才辈出,若奋起直追,星星之火,也可燎原。2018年以来,我国科研专家就在此方面取得了不少突出成果,比如以下两个:

中科大院士制备半导体六量子点芯片,为***之首

此前,在2018年2月,中国科学技术大学郭光灿院士团队在半导体量子芯片研制方面获新进展,创新性地制备了半导体六量子点芯片,在***上实现了半导体体系中的三量子比特逻辑门操控,为未来研制集成化半导体量子芯片迈出坚实一步。***应用物理学期刊《物理评论应用》日前发表了该成果。

开发与现代半导体工艺兼容的半导体全电控量子芯片,是当前量子计算机研制的重要方向之一。郭光灿团队中的郭国平教授研究组长期致力于半导体量子芯片研发,近年来曾先后实现半导体单电荷量子比特逻辑门、两电荷量子比特控制非逻辑门等成果。

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郭国平与教授肖明、研究员李海欧、曹刚等人合作,通过理论计算分析,创新性地设计了T型电极开口式六量子点结构,该结构使得控制比特与目标比特有较强的耦合,同时两个目标比特之间的耦合较小,很好地满足了实现两个控制比特对目标比特受控非门的操控要求。他们利用优化设计的高频脉冲量子测控电路,成功实现了世界上基于半导体量子点体系的三电荷量子比特逻辑门,进一步提升量子计算的效率,为可扩展、可集成化半导体量子芯片的研制奠定了坚实基础。

《物理评论应用》审稿人认为,这项工作是半导体量子点量子计算方向的一个重要进展,详细、清楚地展示了高水平的实验技术,将引起学界对该领域极高的研究热情。

北大教授制造出远超英特尔的芯片核心元器件

近日,北京大学电子系教授彭练矛带领团队成功使用新材料碳纳米管制造出芯片的核心元器件——晶体管,其工作速度高于英特尔14纳米商用硅材料晶体管的3倍,能耗只有其四分之一。该研究成果刊登于《科学》杂志。

业界认为,集成电路芯片遵从摩尔定律,即硅材料晶体管的尺寸将无法再缩小,芯片的性能提升已经接近其物理极限。在此背景下,人们一直在寻找能够替代当前硅芯片的材料,碳纳米管就是主要的研究方向之一。

业内认为,碳纳米管晶体管技术的突破对于中国半导体产业意义深远,碳基芯片的科研突破给中国芯片产业提供了换道超车的可能。我国碳纳米管晶体管研发技术世界,中国巨大的市场和雄厚的资金更是提供了广阔前景。

我国自主芯片技术还存在非常大的短板,未来发展高新科技技术显得尤为重要。在如今科技强国的时代,唯有拥有自主技术,通过科技创新才能打造出自己的强国之路。




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